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650V/700V Multi-EPI SJ MOS
"基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì)，使用先進(jìn)的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過(guò)安規(guī)認(rèn)證；超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，有效降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應(yīng)更高的開(kāi)關(guān)頻率；DFN超薄外形封裝，可應(yīng)用于小體積PD快速充電器。 "
反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源，mos導(dǎo)通時(shí)，輸出變壓器充當(dāng)電感，電能轉(zhuǎn)化為磁能，此時(shí)輸出回路無(wú)電流，相反，當(dāng)mos關(guān)斷時(shí)，輸出變壓器釋放能量，磁能轉(zhuǎn)化為電能，輸出回路有電流。反激電路元器件少，電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路。
| 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號(hào) |
|---|---|
| Multi-EPI SJ | TPG65R125MH |
| TPG65R175MH | |
| TPG65R280MH | |
| TPG65R360M | |
| TPG65R365MH | |
| TPG70R125MH | |
| TPG70R600M |
DT MOS/Trench MOS
DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵（或稱為分立柵）MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。
Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設(shè)計(jì)和版圖布局，可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性，有效防止在極限工作下部分區(qū)域的提前失效，增強(qiáng)了產(chǎn)品功率密度和可靠性
同步整流Rectification MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中用于提高電源的效率，它替代輸出整流二極管，利用其導(dǎo)通內(nèi)阻低的特點(diǎn)彌補(bǔ)二極管導(dǎo)通損耗高的缺陷。
| 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號(hào) |
|---|---|
| DT | TSD120N10AT |
| TSG120N10AT | |
| TSP120N10AT | |
| TSG048N10AT | |
| Trench | TTP145N08A |
| TTB145N08A | |
| TMB140N08A | |
| TMB140N10A |