600V/650V/700V SJ MOS
基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設計,使用先進的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過安規(guī)認證;超低導通電阻和結(jié)電容,有效降低導通損耗和開關損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開關頻率。
PFC(功率因數(shù)校正)拓撲常見的工作模式有CCM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型和CRM臨界型三種,PFC拓撲對MOS管的要求比較高,在保證系統(tǒng)效率和溫升的條件下,要盡可能的提升系統(tǒng)穩(wěn)定性用來改善電子或電力設備裝置的功率因素,用于提高配電設備及其配線的利用率,以降低設備的裝置容量;
紫光微可以提供 600V,650V ,700V 的多次外延( Multi-EPI )SJMOS,PFC可選擇。
600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS
帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用,具有高速快恢復二極管(FRD),短的反向恢復時間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時會導致恢復損耗的應用。
LLC拓撲常用于大功率諧振式變換器,是150W至1.6kW應用的理想選擇。因采用零電壓開關(ZVS)而實現(xiàn)了非常高的工作效率,在大幅度減小開關損耗的同時還可以有更高的功率密度,可廣泛應用于服務器電源、電動汽車充電樁等領域
無錫紫光微提供的BV為650V的MutliEPISJ-MOS可用于諧波半橋電源應用,也提供具有高速快恢復二極管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二極管具有短的反向恢復時間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時會導致恢復損耗的應用
逆變電路工作原理開關T1、T4閉合,T2、T3斷開: 開關T1、T4斷開,T2、T3閉合當以頻率fS交替切換開關T1、T4和 T2 、T3 時 , 則 在 負載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負交替的方波),其周期 Ts=1/fS,這樣,就將直流電壓變成了交流電壓